1、碳化硅器件的发展问题不是设计问题，而是实现芯片结构的制造工艺，如碳化硅晶片的微管缺陷密度、外延工艺效率低、掺杂工艺的特殊要求、匹配材料的耐温性等。
2、碳化硅生产中的另一个问题是环境保护，因为碳化硅在冶炼过程中会产生有害气体，如一氧化碳、二氧化硫和其他有害气体，如果处理不当，粉尘颗粒会受到严重污染。
1、据悉，总投资10亿元，国内又一碳化硅项目将实现投产，项目建成后，年产5万块4英寸碳化硅晶体衬底和5000片4英寸高纯半绝缘碳化硅晶体衬底。碳化硅是第三代半导体材料。它在高温、高压和高频条件下具有优异的性能。适用于汽车、铁路、工业设备、家用消费电子设备、航空航天等领域。它是最受关注的新型半导体材料之一。
2、从产业链的角度来看，碳化硅包括单晶衬底、外延片、器件设计、器件制造等环节。目前，全球碳化硅市场基本上被外国企业垄断。
3、国内市场已初步形成覆盖所有环节的碳化硅产业链。在优惠的政策和市场驱动下，国内企业在这一环节上努力赶超。
