如何学习ESD设计？：[10]半导体双极工艺

1、首先是需要一片P型衬底的硅片。这个衬底的浓度需要好好选择。

2、其次是形成N+的掩埋层。这里的流程写的比较简化，其实每一层都需要光刻，离子注入，扩散等步骤的。在有些工艺中，如果考虑到隔离的问题，也有可能选择性的做上P+的掩埋层。要理解N+掩埋层的意义，它是用来降低之后集凤政扬电极的接触电阻的。

3、接下来是做N-的外延层，外延层一般比衬底性质更好，杂质更少。

4、做完外延层之后，一般是做P+层作为隔离。隔离目前注意有两种，一种是依靠PN结隔离，一种是挖槽填不导电材料作为隔离。P+层如果接不到P-衬底的话，就需要在之前做N+掩埋层的时候做P+掩埋层。

5、做完隔离之后，就是做P+层作为三极管的基区。这一层需要设计合理，P+的深度将很多程度的决定三极管的电流增益。

6、在P+基区做上N+层作为三极管的发射区，整个三极管的结构沃芬就基本完成了。双极工艺的前端结束了。

7、在后端工艺中，做出接触孔，把各个电极通过蒸铝接触来。至此工艺近睡结束。