1、实验内容:依据非导体接触式μLED模型，制备出相应的器件。其次是针对这种新型结构的μLED，研究其在交流信号驱动下的频率-电压、电流-电压，发光强度等光电特性。 GaN基微发光二极管(μLEDs)在超高分辨率显示、微显示、可见光通信、固态照明等方面有突出的优势。传统μLED工作机制是：施加正向电压时，空穴电子分别从p区n区注入到多量子阱中辐射复合发光。在正向偏压下，从外部电极注入连续的电子和空穴，导致连续的电致发光。
2、实验内容:依据非导体接触式μLED模型，制备出相应的器件。其次是针对这种新型结构的μLED，研究其在交流信号驱动下的频率-电压、电流-电压，发光强度等光电特性。 GaN基微发光二极管(μLEDs)在超高分辨率显示、微显示、可见光通信、固态照明等方面有突出的优势。传统μLED工作机制是：施加正向电压时，空穴电子分别从p区n区注入到多量子阱中辐射复合发光。在正向偏压下，从外部电极注入连续的电子和空穴，导致连续的电致发光。测试目的：建立一种非导体接触式μLED模型并揭示其工作机理，为改善μLED器件结构、优化工作模式提供理论指导。
